Wydawnictwo SIGMA-NOT „Elektronika” - 09.2014 < COFNIJ


Bieżący numer Elektroniki przynosi zbiór prac prezentowanych w czasie Sesji Specjalnej Przezroczyste Półprzewodniki Tlenkowe – nowa klasa materiałów półprzewodnikowych dla przezroczystej elektroniki, optoelektroniki, fotowoltaiki i technik sensorowych na XIII-tej Krajowej Konferencji Elektroniki w Darłówku Wschodnim (05–09.06.2014 r.).

Przezroczyste półprzewodniki tlenkowe (ang. Transparent Semiconducting Oxides, TSO) to unikatowa klasa materiałów elektronicznych łączących cechy wysokiej transmisji optycznej w obszarze widzialnym i kontrolowanego przewodnictwa. Budzi ona w ostatnich latach udokumentowane zainteresowanie badawcze oferując szeroki wachlarz potencjalnych zastosowań – od przezroczystych tranzystorów cienkowarstwowych, diod elektroluminescencyjnych i baterii słonecznych do całej gamy sensorów – piezoelektrycznych, akusto-optycznych, gazowych, chemicznych i biologicznych.

Grupa ta obejmuje obecnie szeroką gamę materiałów typu n, w tym domieszkowanych metalami przejściowymi z oddziaływaniem magnetycznym, tlenków wielokationowych z kombinacją jonów In, Zn, Cd, Sn, tlenków domieszkowanych jonami metali lekkich (Al, Mg, Ga), a także nowej klasy materiały tlenkowe typu p – obok klasycznych tlenków na bazie cynku miedzi i niklu, ważną grupą stają się tlenki o strukturze spinelu. Dodatkowo, przełamując historyczny stereotyp o lepszych właściwościach materiałów krystalicznych, zademonstrowano nową klasę amorficznych TSO o właściwościach równie dobrych, a nierzadko lepszych niż odpowiedniki krystaliczne. W konsekwencji, coraz szersza staje się paleta potencjalnych kandydatów na efektywne TSO. Mimo olbrzymiego i niekwestionowanego postępu jaki uzyskano w technologii wytwarzania tych materiałów i przyrządów, wiele fundamentalnych pytań odnośnie defektów, domieszkowania, mechanizmów transportu nośników, właściwości optycznych i elektronowych pozostaje wciąż otwartych.

Zamierzeniem Sesji Specjalnej zorganizowanej w czasie XIII Krajowej Konferencji Elektroniki było zebranie czołowych grup badawczych z Polski pracujących w dziedzinie przezroczystej elektroniki i dokonanie przeglądu dotychczasowych osiągnięć badawczych i  praktycznych. Sesja stanowiła forum na którym zaprezentowano najnowsze wyniki w dziedzinie technologii wytwarzania materiałów półprzewodnikowych – objętościowych, cienkich warstw i nanostruktur, a także procesów wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych na ich bazie, a towarzyszący jej Panel ‘okrągłego stołu’ – forum dyskusyjne podsumowujące aktualny stan wiedzy i identyfikujący najważniejsze problemy.

Jeśli ocenić dotychczasowe osiągnięcia grup badawczych w Polsce w wymienionych powyżej dziedzinach to mamy wyjątkową sytuację. O ile z różnych przyczyn nie mieliśmy szans konkurować ze światem w zaawansowanej elektronice krzemowej, to w przypadku wspomnianych zastosowań w elektronice przezroczystej, czy też w fotowoltaice (przezroczyste elektrody) sytuacja wyjściowa jest bardzo dobra i wiele z prac lokuje nas w czołówce światowej.

Znacząca część prac była wynikiem dwu projektów Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka POIG – Innowacyjne technologie wielofunkcyjnych materiałów i struktur dla nanoelektroniki, fotoniki, spintroniki i technik sensorowych (InTechFun) realizowanego przez konsorcjum w składzie: Instytut Technologii Elektronowej jako koordynator (główni wykonawcy to Zakład Mikro- i Nanotechnologii Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Zakład Badań Materiałów i Struktur Półprzewodnikowych, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych), Instytut Fizyki PAN (Oddział Fizyki i Technologii Nanostruktur Półprzewodników Szerokoprzerwowych, Środowiskowe Laboratorium Fizyki i Wzrostu Kryształów Niskowymiarowych, Środowiskowe Laboratorium Badań Kriogenicznych i Spintronicznych, Środowiskowe Laboratorium Badań Rentgenowskich i Elektronomikroskopowych), Politechnika Warszawska (Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Instytut Radioelektroniki), Politechnika Śląska (Katedra Optoelektroniki, Instytut Elektroniki, Instytut Fizyki – Centrum Naukowo-Dydaktyczne) oraz Kwantowe nanostruktury półprzewodnikowe do zastosowań w biologii i medycynie (NanoBiom) realizowanego przez konsorcjum w składzie: Instytut Fizyki PAN (koordynator), Instytut Wysokich Ciśnień PAN, Instytut Chemii Fizycznej PAN, Politechnika Wrocławska (Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki), Instytut Technologii Elektronowej, Instytut Biologii Doświadczalnej PAN, Uniwersytet Warszawski (Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matematycznego i Komputerowego).

Jesteśmy przekonani, że zbiór prezentowanych prac będzie interesującą lekturą i być może zachętą do aktywnego włączenia się w prace badawcze w tej dziedzinie.



prof. dr hab. Marek Godlewski
prof. dr hab. inż. Anna Piotrowska

Wykorzystywanie materiałów ze strony bez zgody właściciela jest zabronione na podst. Ustawy z dnia 4 lutego 1994 r. o Prawie autorskim i Prawach pokrewnych.
Copyright Marcin Kossak 2006-2017 CRM v 6.0.0